IT House đã báo cáo vào ngày 10 tháng 2 rằng Navitas đã thông báo vào ngày 9 giờ địa phương rằng họ sẽ ra mắt nền tảng công nghệ cung cấp điện DC-DC 10kW all-GaN (gallium nitride) cho hệ thống điện trung tâm điện DC 800V DC, với hiệu suất chuyển đổi tối đa lên đến 98,5% và hiệu suất đầy tải là 98,1%.
Bộ nguồn này sử dụng FET GaNFast 650V và 100V tiên tiến với kiến trúc nửa cầu ba cấp và cấu trúc liên kết chỉnh lưu đồng bộ, với mật độ công suất 2.1kW trên mỗi inch khối (IT House Note: gần 60kW / L).
Nền tảng nguồn hỗ trợ kiến trúc 800V-50V, ±400V-50V, tích hợp các chức năng điều khiển và nguồn phụ trợ, đáp ứng nhu cầu của các trung tâm dữ liệu AI thế hệ tiếp theo để chuyển đổi năng lượng hiệu quả và đã được lấy mẫu cho các khách hàng trung tâm dữ liệu chính.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
Navitas 纳微 ra mắt nền tảng nguồn DC-DC toàn GaN 10kW, hiệu suất chuyển đổi lên đến 98.5%
IT House đã báo cáo vào ngày 10 tháng 2 rằng Navitas đã thông báo vào ngày 9 giờ địa phương rằng họ sẽ ra mắt nền tảng công nghệ cung cấp điện DC-DC 10kW all-GaN (gallium nitride) cho hệ thống điện trung tâm điện DC 800V DC, với hiệu suất chuyển đổi tối đa lên đến 98,5% và hiệu suất đầy tải là 98,1%.
Bộ nguồn này sử dụng FET GaNFast 650V và 100V tiên tiến với kiến trúc nửa cầu ba cấp và cấu trúc liên kết chỉnh lưu đồng bộ, với mật độ công suất 2.1kW trên mỗi inch khối (IT House Note: gần 60kW / L).
Nền tảng nguồn hỗ trợ kiến trúc 800V-50V, ±400V-50V, tích hợp các chức năng điều khiển và nguồn phụ trợ, đáp ứng nhu cầu của các trung tâm dữ liệu AI thế hệ tiếp theo để chuyển đổi năng lượng hiệu quả và đã được lấy mẫu cho các khách hàng trung tâm dữ liệu chính.