По сообщению Financial Associated Press, Samsung Electronics провела «Форум Samsung Foundry Forum 2023» в Силиконовой долине, Калифорния, США, 27-го числа по местному времени. Цуй Широнг, президент бизнес-подразделения Samsung Electronics по производству пластин, сказал, что компания-клиент активно разрабатывает микросхемы для искусственного интеллекта, и Samsung Electronics будет внедрять инновации с помощью транзисторной технологии Gate All Around (GAA), оптимизированной для микросхем искусственного интеллекта. модель разведывательных технологий. Кроме того, Samsung также решила предоставлять высокопроизводительные и маломощные услуги по производству силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN), необходимые для технологии искусственного интеллекта с 2025 года. С этой целью компания создаст передовой механизм переговоров по упаковке «MDI (Multi Die Integration) Alliance» со связанными компаниями, чтобы возглавить рынок упаковки нового поколения. По данным Samsung Electronics, за счет этих мер компания будет стремиться увеличить свои производственные мощности по производству полупроводников в 7,3 раза в период с 2021 по 2021 год.